THEORIS PY302D 12英寸立式掺杂多晶硅低压化学气相沉积炉
THEORIS PY302D 12 Inch Vertical Doped Poly-Si LPCVD Furnace
本产品重要利用于12英寸集成电路（IC）领域掺杂多晶硅低压化学气相沉积工艺，兼容非掺杂多晶硅沉积工艺，支持薄膜及厚膜工艺，具备优异的面内及面间均匀性机能 。该机台可进行全自动工艺流程，系统重要由传输？椤⒐ひ漳？椤⒔谠炷？楹痛邮羯璞缸槌 ？墒迪衷幌村澳，能有效节造颗粒，可降低守护人力及功夫以提高设备利用率 。选取高精度温度场节造、先进的气流场节造和优异的微环境节造技术，可批量处置12英寸晶圆以实现高产能出产 。
- 设备特点
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- 产品利用
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- 晶圆尺寸
- 合用资料
- 合用工艺
- 合用领域
