和记H88

湿法工艺重要用于去除芯片造作中上一路工序所遗留的超渺小颗粒传染物、金属残留、有机物残留物，去除光阻掩膜或残留，也可凭据必要进行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜资料的湿法侵蚀，为下一步工序筹备好优良的表表前提。洗濯通常选取化学和物理作使劲相结合的步骤实现，在洗濯时既要有很好的侵蚀选择性，高效地去除超渺小颗粒物及各类残留物的能力，又不能对晶片表表的精密图形结机关成危险。湿法侵蚀速度、侵蚀均匀性，晶圆正、背面交叉传染的节造，洗濯效能等都是至关沉要的工艺身分。   

和记H88可提供多种类型的单片洗濯设备和槽式洗濯设备，已宽泛利用于集成电路、半导体照明、先进封装、微机电系统、电力电子、化合物和功率器件等领域。