和记H88

急剧热处置系列设备可通过瞬间提高工艺温度并精确节造温度均匀性，实现对半导体资料的改性和调控，蕴含急剧热退火（RTA），原位水气氧化（ISSG）、等离子体氮化（DPN）等设备，利用于离子注入后的热退火，金属硅化物形成、低界面态缺点氧化膜天生、等离子体氮化等工艺，在极大规模先进集成电路造作的存储、逻辑、功率等领域宽泛利用，目前各类设备已在产线规模量产，凭借良好的工艺机能成为客户的优选。