THEORIS SN302D Adv 12英寸立式氮化硅低压化学气相沉积炉
THEORIS SN302D Adv 12 Inch Vertical SiN LPCVD Furnace
本产品重要利用于12英寸集成电路（IC）领域 低压化学气相 氮化硅（SiN）薄膜沉积，Film厚度可覆盖5nm~400nm，兼容高/低温成膜工艺（630℃~780℃），可实显旖面及沟路高质量成膜，台阶覆盖率达95%以上，工艺窗口覆盖面广，可代替部门幼批量处置机型工艺，WPH可提升45%以上。该机台可进行全自动工艺流程，系统重要由传输？椤⒐ひ漳？椤⒔谠炷？楹痛邮羯璞缸槌？墒迪衷幌村⑽露茸远宰糡uning等职能，有效节造颗粒，提升机台膜质均匀性（面内＜1%），降低守护功夫，节约人力，为客户提供高效，低成本的优质设备。
- 设备特点
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- 产品利用
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- 晶圆尺寸
- 合用资料
- 合用工艺
- 合用领域
