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半导体设备 Semiconductor
THEORIS X302H
12英寸立式高温氧化炉
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公司名称：
业务联系人：李岑
THEORIS X302H 12英寸立式高温氧化炉
THEORIS X302H 12 Inch Vertical High-TEMP Oxidation Furnace
本产品重要利用于12英寸集成电路（IC）领域 高温（1000℃-1200℃）氧化/退火工艺。该机台为立式单腔炉管系统 ，工艺处置过程实现了高度自动化。系统重要由传输 ？椤⒐ひ漳 ？椤⒌缭垂竦炔棵抛槌。
设备特点
先进的颗 ＝谠旒际
先进的金属传染节造技术
高精度温度场节造技术
急剧升/降温度技术
高产能
支持超高温工艺（1200℃）
产品利用
晶圆尺寸
12 英寸
合用资料
硅
合用工艺
高温氧化、高温退火
合用领域
集成电路、先进封装
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