Landscape A 12英寸等离子体浸没离子注入机
Landscape A 12 Inch plasma doping system
Landscape A重要利用于硅晶圆器件的高剂量、低能量的离子注入掺杂工艺 ，面向成熟/先进存储和逻辑领域的互补金属氧化物半导体器件的掺杂(CMOS Device Doping)、加氢钝化(H Passivation)、超浅结掺杂(Ultra Shallow Junction Doping)等工艺利用需要 ，也可利用于传统离子注入设备难以实现的对3D结构的掺杂 ，为复杂3D结构的造作提供高效解决规划。
- 设备特点
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- 产品利用
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- 晶圆尺寸
- 合用资料
- 合用领域
