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公司名称:
业务联系人:杨雄
GDE C200系列 化合物刻蚀机
GDE C200系列 Compound Semiconductor Etcher
化合物刻蚀机选取超高密度等立体源,刻蚀速度高、均匀性好,机能不变,MTBC长,易守护,在SiC-Power、GaAs-RF、GaN-RF、滤波器、Optic等领域利用宽泛,已在多条产线验证成功,堆集了丰硕的经验,在集成电路、化合物领域、新兴、科研等领域的利用极度宽泛。
设备特点
怪异的等离子体源和频率设计,合用于强键合伙料刻蚀
优异的刻蚀速度及刻蚀均匀性,PM周期长
矫捷的系统配置,适合研发、中试线、大规模出产线的分歧利用
适配多种终点检测步骤
产品利用
晶圆尺寸
8英寸及以下
合用领域
功率器件、化合物半导体、新型利用、科研
合用工艺
碳化硅栅槽/通孔、钼/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔、磷化铟光波导
合用资料
碳化硅、铝钪氮、钼、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂
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