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PVD AlN铝溅射系统
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业务联系人:李强
iTops A230Ⅱ PVD AlN铝溅射系统
iTops A230Ⅱ PVD AlN Sputter System
iTops A230 Ⅱ重要用于2/4/6英寸AlN缓冲层沉积工艺。该机台为单工艺腔室设备,建设传输腔室和冷却腔室。AlN设备拥有占地面积幼,结构单一,操作矫捷,维建方便,运营成本低蹬着势。
设备特点
极高的加热能力、精确的温度节造、优异的真空能力
高晶体质量的氮化铝薄膜及优异的薄膜厚度均匀性
占地面积幼,结构单一,操作矫捷,维建方便
设备不变,稼动率高,运营成本低
产品利用
晶圆尺寸
2/4/6 英寸兼容
合用资料
氮化铝
合用工艺
氮化铝缓冲层溅射
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